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合美半导体纯化学抛光机
2025-12-16 10:24:16


化学抛光性能描述:

1. 抛光前后总厚度偏差变化量(ΔTTV):|ΔTTV|≤2μm;

2. 抛光后面型增量(ΔPV):|ΔPV|≤2μm,可通过激光干涉仪测试;

3. 白光轮廓仪测试表面粗糙度,测试视场232×174μm时,初始Ra≤1nm,抛光后Ra≤1nm;测试视场64×48μm时,表面粗糙度增量|ΔRa|≤0.1nm;

4. 抛光后表面状态,无新增缺陷;显微镜偏光-微分干涉模式观察,表面无新增缺陷,例如划伤、亮点、氧化擦伤、斑块等;暗场模式下观察,表面无新增缺陷,例如氧化、黑点、起雾状等;

5. 抛光后表面颗粒度:显微镜暗场模式下平均测试9点,表面颗粒度≤10/cm2;

6. 抛光后表面无裂纹、裂片等物理损伤;

咨询:135 2207 9385

 

参数:

1. 驱动系统:抛光盘运行通过主驱动系统控制,转速可通过程序控制调节;

2. 机身材料:千级(或以上)洁净室使用环境,全工艺过程中不产尘、不引入其他杂质与污染;设备由防腐蚀材料构成,整机防腐,适用于腐蚀性抛光溶剂,如溴甲醇、酸碱等腐蚀剂;

3. 进料系统:为实现化学抛光等各种复合工艺,设备支持双通道进料系统,可单独/同时工作,进料速率可实现数字化控制。供液流量控制范围:0~10ml/s;

4. 抛光盘:转速连续可调:0~100rpm;抛光盘的更换、维护快速而简便,嵌入式盘;

5. 具有定时功能:可设定抛光时间,到达后停止工艺,设定时间0~60min,连续可调;

6. 具有操作面板和控制器:可集成转速、流速等工艺参数的数控显示与控制;

7. 设计有出液口,用于废液的导出,使得整个工艺过程变得简单快洁;

8. 具有可连续的供液系统≥2,可在抛光工艺过程中补充抛光液;

9. 废液回收系统:设备具有废液回收系统,可安全回收工艺废液;

10. 结构:一体式可拆卸结构,采用行星环绕运动方式;设备台面具有可拆卸性,便于抛光垫更换与零部件的维修;设备运行偏心距离为5mm(即齿轮圆心与玻璃衬底圆心之间距离为5mm);

11. 设备电源:220-240V;10A;50-60HZ;

12. ***功耗:3KW;


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