美国NANO-MASTER那诺-马斯特自2001年开始设计开发薄膜应用方面的设备，正式面世的系统依次是磁控溅射、PECVD、晶圆/掩模版清洗系统…。
应用领域涵盖了半导体、MEMS、光电子学、纳米技术和光伏等。
设备包含用于二氧化硅、氮化硅、类金刚石和CNT沉积的PECVD，用于InGaN、AlGaN生长的PA-MOCVD，溅射镀膜(反应溅、共溅 、组合溅)，热蒸发和电子束蒸发，离子束刻蚀和反应离子刻蚀，原子层沉积，兆声清洗以及光刻胶剥离等。
1、NIE-3000 IBE离子束刻蚀
NIE-3000IBE离子束刻蚀
产品概述：该系统为手动放片取片，但通过计算机全自动实现工艺控制的台式离子束刻蚀系统，系统具有结构紧凑、功能强大、自动化程度高、模块化设计易于维护、低成本的优势。该系统所配套的所有核心组件均为国际知名品牌。
NIE-3000IBE离子束刻蚀产品特点：
低成本
离子束：高达2KV/10mA
离子电流密度100-360uA/cm2
离子束直径：4"，5"，6"
兼容反应及非反应气体(Ar， O2， CF4，Cl2)
极限真空5x10-7Torr
260l/s涡轮分子泵，串接500 l/min干泵
14"不锈钢或铝质腔体
水冷旋转/倾斜样品台(NIE-3500)
自动上下载片（NIE-3500）
基于LabView软件的PC计算机全自动控制
占地面积30"x30"
NIE-3000IBE离子束刻蚀产品应用：
表面处理
离子铣
表面清洗
带活性气体的离子束刻蚀： 光栅刻蚀，以及SiO2，Si和金属的深槽刻蚀
2、NIE-3500 (A)全自动IBE离子束刻蚀
IBE离子束刻蚀
NIE-3500（A）全自动IBE离子束刻蚀产品概述：该系统为全自动上下载片，并且通过计算机全自动实现工艺控制的紧凑型独立的立柜式离子束刻蚀系统，系统具有结构紧凑、功能强大、自动化程度高、模块化设计易于维护、低成本的优势。该系统所配套的所有核心组件均为国际知名品牌。
NIE-3500（A）全自动IBE离子束刻蚀产品特点：
低成本
带预真空锁，自动上下载片
离子束：高达2KV/10mA
离子电流密度100-360uA/cm2
离子束直径：4"，5"，6"
兼容反应及非反应气体(Ar， O2， CF4，Cl2)
极限真空5x10-7Torr
260l/s涡轮分子泵，串接500 l/min干泵
14"不锈钢或铝质腔体
水冷旋转/倾斜样品台(NIE-3500)
自动上下载片（NIE-3500）
基于LabView软件的PC计算机全自动控制
占地面积30"x30"
NIE-3500（A）全自动IBE离子束刻蚀产品应用：
表面处理
离子铣
表面清洗
带活性气体的离子束刻蚀： 光栅刻蚀，以及SiO2，Si和金属的深槽刻蚀
3、NIE-3500 (M) IBE离子束刻蚀
咨询电话：13522079385
IBE离子束刻蚀
NIE-3500（M）IBE离子束刻蚀产品概述：该系统为计算机全自动实现工艺控制的紧凑型独立的立柜式离子束刻蚀系统，具有结构紧凑、功能强大、自动化程度高、模块化设计易于维护、低成本的优势。所有核心组件均为国际知名品牌。
NIE-3500（M）IBE离子束刻蚀产品特点：
低成本
离子束：高达2KV/10mA
离子电流密度100-360uA/cm2
离子束直径：4"，5"，6"
兼容反应及非反应气体(Ar， O2， CF4，Cl2)
极限真空5x10-7Torr
260l/s涡轮分子泵，串接500 l/min干泵
14"不锈钢或铝质腔体
水冷旋转/倾斜样品台(NIE-3500)
自动上下载片（NIE-3500）
基于LabView软件的PC计算机全自动控制
占地面积30"x30"
NIE-3500（M）IBE离子束刻蚀产品应用：
表面清洗
表面处理
离子铣
带活性气体的离子束刻蚀
光栅刻蚀
SiO2，Si和金属的深槽刻蚀
4、NIE-4000 (R) RIBE反应离子束刻蚀
RIBE反应离子束刻蚀系统
NIE-4000（R）RIBE反应离子束刻蚀产品概述：如铜和金等金属不含挥发性化合物，这些金属的刻蚀无法在RIE系统中完成。然而通过加速的Ar离子进行物理刻蚀则是可能的。通常情况下，样品表面采用厚胶作为掩模层，刻蚀期间富有能量的离子流会使得基片和光刻胶过热。除非可以找到有效的方式消除热量，否则光刻胶将变得非常难以去除。
NANO-MASTER技术已经证明了可以把基片温度控制在50° C以内的同时，旋转晶圆片以达到想要的均匀度。
NIE-4000（R）RIBE反应离子束刻蚀产品特点：
14.5”不锈钢立体离子束腔体
16cm DC离子枪1200eV，650mA， 气动不锈钢遮板
离子束中和器
氩气MFC
6”水冷样品台
晶片旋转速度3、10RPM，真空步进电机
步进电机控制晶圆片倾斜
自动/手动上下载晶圆片
典型刻蚀速率：铜200 ?/min， 硅：500 ?/min
6”范围内，刻蚀均匀度+/-3%
极限真空5x10-7Torr，20分钟内可达到10-6Torr级别（配套500 l/s涡轮分子泵）
配套1000 l/s涡轮分子泵，极限真空可达8x10-8Torr
磁控溅射Si3N4以保护被刻蚀金属表面被氧化
基于LabView软件的PC计算机全自动控制
菜单驱动，4级密码访问保护
完整的安全联锁
5、NIE-4000 (A)全自动IBE离子束刻蚀
IBE离子束刻蚀系统
NIE-4000（A）全自动IBE离子束刻蚀产品概述：如铜和金等金属不含挥发性化合物，这些金属的刻蚀无法在RIE系统中完成。然而通过加速的Ar离子进行物理刻蚀则是可能的。通常情况下，样品表面采用厚胶作为掩模层，刻蚀期间富有能量的离子流会使得基片和光刻胶过热。除非可以找到有效的方式消除热量，否则光刻胶将变得非常难以去除。
NANO-MASTER技术已经证明了可以把基片温度控制在50° C以内的同时，旋转晶圆片以达到想要的均匀度。
NIE-4000（A）全自动IBE离子束刻蚀产品特点：
14.5”不锈钢立体离子束腔体
16cm DC离子枪1200eV，650mA， 气动不锈钢遮板
离子束中和器
氩气MFC
6”水冷样品台
晶片旋转速度3、10RPM，真空步进电机
步进电机控制晶圆片倾斜
自动上下载晶圆片
典型刻蚀速率：铜200 ?/min， 硅：500 ?/min
6”范围内，刻蚀均匀度+/-3%
极限真空5x10-7Torr，20分钟内可达到10-6Torr级别（配套500 l/s涡轮分子泵）
配套1000 l/s涡轮分子泵，极限真空可达8x10-8Torr
磁控溅射Si3N4以保护被刻蚀金属表面被氧化
基于LabView软件的PC计算机全自动控制
菜单驱动，4级密码访问保护
完整的安全联锁