电子反向散射衍射（EBSD）环境控制的样品制备离子束制备SEM样品制备
大规模的平面和横截面样品；通过离子铣削创建最大，最统一的平面区域。为环境敏感的材料提供了最终的工作流程。
MODEL 1062 Trion Mill
一款全自动台式氩离子研磨机，具有高度灵活的研磨参数调节功能。该仪器支持平面和横截面样品的大规模研磨。通过三个离子源，可高效处理直径达50 mm的样品，实现离子研磨所能达到的最大且最均匀的平坦区域。允许将环境敏感材料直接传输至扫描电子显微镜（SEM）或聚焦离子束系统（FIB）。
Model 1062 TrionMill 规格说明
离子源
三个TrueFocus离子源
可变能量操作（100 eV 至 10.0 keV）
束流密度高达 10 mA/cm²
研磨角度范围：0 至 +10°
可选择单离子源、双离子源或三离子源操作
电动离子源角度调节
独立的离子源能量控制
可调节的束斑尺寸（300 µm 至 5 mm）
每个离子源配备法拉第杯，用于直接测量束流，便于优化和调整离子源参数以适应特定应用
束流对准摄像头
研磨速率超过 500 µm/小时
低离子源维护需求
负载锁
前装式负载锁，实现高样品吞吐量
气动真空闸阀
快速释放功能的卡口式样品夹持器
用户界面
通过254 mm [10 in.]、符合人体工程学的可调节触摸屏控制仪器操作
自动终止
通过时间或温度自动终止
MODEL 1062 TrionMill
一款全自动台式氩离子研磨机，具有高度灵活的研磨参数调节功能。该仪器支持平面和横截面样品的大规模研磨。通过三个离子源，可高效处理直径达50 mm的样品，实现离子研磨所能达到的最大且最均匀的平坦区域。允许将环境敏感材料直接传输至扫描电子显微镜（SEM）或聚焦离子束系统（FIB）。
样品台
支持平面和横截面研磨功能：
平面
最大直径50 mm，高度25 mm [1.968 x 0.787 in.]
横截面
最大尺寸：10 x 10 x 4 mm [0.39 x 0.39 x 0.157 in.]
自动高度检测确定研磨平面，确保结果可重复
360°样品旋转或摇摆运动，速度可调
样品冷却（可选）
液氮传导冷却，配备集成杜瓦瓶
杜瓦瓶靠近仪器操作员
提供低温保护功能，若样品台温度超过用户设定的温度阈值，自动停止研磨操作
横截面工作站（可选）
生产高质量的横截面样品
样品通过粘合剂固定在掩膜上
允许精确定位感兴趣区域（X、Y和θ）
适用于多种材料，包括半导体器件、多层材料、陶瓷和硬/脆材料
制备的感兴趣区域平坦且无损伤，便于后续SEM成像和分析
适应多种样品和掩膜尺寸：
样品和掩膜在横向和角度上对齐
单个掩膜可多次使用
夹持横截面工作站（可选）
生产高质量的横截面样品
适用于可能被粘合剂损坏的样品；样品通过夹持掩膜固定，无需粘合剂
允许精确定位感兴趣区域（X、Y和θ）
适用于多种材料，包括半导体器件、多层材料、陶瓷和硬/脆材料
制备的感兴趣区域平坦且无损伤，便于后续SEM成像和分析
适应多种样品和掩膜尺寸：
样品和掩膜在横向和角度上对齐
单个掩膜可多次使用
传输设备（可选）
主动冷却传输（ACT）设备，允许在真空、惰性气体或低温条件下将样品直接传输至SEM或FIB；也可选择无低温冷却的传输设备
与Quorum Technologies Ltd.合作开发
样品观察（可选）
使用高倍显微镜时，可在研磨位置原位监测样品
显微镜选项：
525倍高倍显微镜
1,960倍高倍显微镜
观察窗口由可编程快门保护，防止溅射材料堆积并保持原位观察样品的能力
样品图像采集（可选）
CMOS（互补金属氧化物半导体）相机用于图像采集和显示
适用于监测分层过程
图像采集系统包括：
CMOS相机
辅助显示器
图像采集计算机
键盘
鼠标
图像可保存至图像采集计算机或传输至其他计算机
堆栈灯指示器（可选）
允许从远处确定研磨操作状态
样品照明
高倍显微镜配备光源，提供自上而下、用户可调的反射样品照明
工艺气体
氩气纯度≥ 99.999%（超高纯，5.0级）
使用三个质量流量控制器实现自动气体控制
控制气体
氮气纯度≥ 99.99%（高纯，4.0级）或清洁干燥空气（CDA）
真空系统
涡轮分子拖曳泵和无油多级隔膜泵
冷阴极全范围真空传感器
咨询电话：13522079385
外壳尺寸
宽度：75.46 cm [29.71 in.]
高度：
触摸屏：66.13 cm [26.04 in.]
高倍显微镜：85.27 cm [33.57 in.]
深度：85.91 cm [33.82 in.]
外壳设计便于维护时轻松访问内部组件
重量
99.8 kg [220 lb.]
电源
100/120 或 220/240 VAC；50/60 Hz；1000 W
保修
一年